Volnyanskaya, I. P.Trubitsyn, Mykhailo P.Volnyanskii, Dmytro M.Bondar, D. S.Shvets, T. V.2018-05-192018-05-192017Dielectric Properties of the Pb2MoO5 Crystals Irradiated with uv Light / I. P. Volnyanskaya, M. P. Trubitsyn, D. M. Volnyanskii, D. S. Bondar, T. V. Shvets // Вісник Дніпропетровського університету. Серія: Фізика. Радіоелектроніка. – 2017. – Вип. 24, Том 25. – С. 79–83.http://eadnurt.diit.edu.ua/jspui/handle/123456789/10495EN: The dielectric properties of the Pb2MoO5 crystals, exposed to UV light radiation (290 K), were studied. It was shown that UV irradiation led to appearance of permittivity maximum near 530 K (AC field frequency f=1 kHz). Heating up to 700 K resulted in thermal dissociation of the dipole complexes, induced by UV light irradiation and contributing to e peak. The magnitude of the e maximum increased with increasing time of UV light exposure and saturated for t>90 min. It is supposed that the observed anomaly of e is determined by dielectric response of (MoO3)- complexes. These centers arise when photoelectrons are trapped by molybdenum ions with oxygen vacancy VO in the nearest surroundings.UK: Були вивчені діелектричні властивості кристалів Pb2MoO5, які зазнали впливу УФ-випромінювання (290 К). Було показано, що УФ-опромінювання привело до появи максимуму діелектричної проникненості при температурі близько 530 К (змінне поле частотою f=1 кГц). Нагрів до температури 700 К приводив до термічної дисоціації дипольних комплексів, індукованих ультрафіолетовим опромінюванням і сприяючих піку ε. Величина максимуму ε збільшувалась зі збільшенням часу впливу ультрафіолетового випромінювання і насичувалась при t>90 хв. Передбачається, що аномалія ε, яка спостерігається, визначається діелектричною характеристикою (MoO3) - комплексів. Ці центри виникають, коли фотоелектрони захоплюються іонами молібдену кисневої вакансією VO в найближчому оточенні.RU: Были изучены диэлектрические свойства кристаллов Pb2MoO5, подвергшихся воздействию УФ-излучения (290 К). Было показано, что УФ-облучение привело к появлению максимума диэлектрической проницаемости при температуре около 530 К (переменное поле частотой f=1 кГц). Нагрев до температуры 700 К приводил к термической диссоциации дипольных комплексов, индуцированных ультрафиолетовым облучением и способствующих пику ε. Величина максимума ε увеличивалась с увеличением времени воздействия ультрафиолетового излучения и насыщалась при t> 90 мин. Предполагается, что наблюдаемая аномалия ε определяется диэлектрической характеристикой (MoO3) - комплексов. Эти центры возникают, когда фотоэлектроны захватываются ионами молибдена кислородной вакансией VO в ближайшем окружении.endouble lead molybdate crystaldielectric permittivitylight induced defectкристал подвійного молибдата свинцюдіелектрична проникністьдефект, викликаний світломфотоіндукований дефекткристалл двойного молибдата свинцадиэлектрическая проницаемостьдефект, вызванный светомфотоиндуцированный дефектКФArticle