Характеристика шунгітових порід для використання в процесах одержання сплавів
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
UKR: Розглянуто природній композиційний матеріал шунгіт, який має складний мінеральний склад. Одним з основних компонентів мінеральної складової шунгітових порід різних груп є кремнезем. Вуглець шунгіту рівномірно розподілений у силікатному каркасі з дрібнодисперсних кристалів кварцу. Як сировина шунгіт може бути використаний для виплавки силікомарганцю та феросиліцію. Вміст високоактивного вуглецю і кремнезему у співвідношенні, близькому до стехіометричного для реакції відновлення кремнію вуглецем, сприяє майже повному відновленню кремнію з цього матеріалу. Припускаючи, що шунгітова порода є системою Si-C-О, виконані термодинамічні розрахунки складу рівноважної газової фази для діапазону температур 1300-2300 К. Результати розрахунків рівноважного складу газової фази в системі Si-C-О за Р = 1 атм показали, що мінімальна температура виникнення конденсованого карбіду кремнію (β-SiC) дорівнює 1756 К.
ENG: The natural composite material shungite, which has a complex mineral composition, is considered. One of the main components of the mineral component of shungite rocks of different groups is silica. Shungite carbon is evenly distributed in a silicate framework of finely dispersed quartz crystals. Shungite can be used as a raw material for smelting silicomanganese and ferrosilicon. The content of highly active carbon and silica in a ratio close to the stoichiometric one for the reaction of silicon reduction by carbon contributes to almost complete reduction of silicon from this material. Assuming that the shungite rock is a Si-C-O system, thermodynamic calculations of the composition of the equilibrium gas phase for the temperature range of 1300-2300 K were performed. The results of calculations of the equilibrium composition of the gas phase in the Si-C-O system at P = 1 atm showed that the minimum temperature of the formation of condensed silicon carbide (β-SiC) is 1756 K.