Magnetic Treatment of Semiconductor Silicon

Simple item page
dc.contributor.authorKovzel, Maksym A.en
dc.contributor.authorNosko, Olga A.en
dc.date.accessioned2026-04-09T08:12:44Z
dc.date.issued2024
dc.descriptionM. Kovzel: ORCID 0000-0001-5720-1186; O. Nosko: ORCID 0000-0002-5749-7578en
dc.description.abstractENG: The current publication reports on the magnetic field influence on the microstructure of Cz-Si doped with Al, Mg, Cu, Fe, Zr, Hf. The point is that these dopants have different effects on the interaction energy of silicon atoms in its crystal lattice and differently behave under magnetic field treatment. In this context, the problem of silicon processing is first time addressed. It is established that the dopants (Al, Mg, Cu, Fe), which decrease the energy of atom interaction within the crystal lattice of silicon, lead to the increase in the defects of the silicon structural units after 240 hours of magnetic field treatment while 720 hours produce the decrease in the quantity of such defects. Cz-Si doped with Zr, Hf (these dopants increase the interaction energy of the silicon crystal lattice) experiences the decrease in the quantity of defects in the structural units starting from 240 of exposing to the magnetic field. By means of X-ray diffraction technique, the occurrence of new peaks on the scattering angles of 90–92 degrees has been detected, that is due to SiFCC lattice distortion and the formation of Si orthorhomic alongside with it. This indicates phase transformations in the samples of semiconductor silicon during magnetic treatment at room temperature.en
dc.description.abstractUKR: У даній публікації розглядається вплив магнітного поля на мікроструктуру Cz-Si, легованого Al, Mg, Cu, Fe, Zr, Hf. Справа в тому, що ці домішки по-різному впливають на енергію взаємодії атомів кремнію в його кристалічній решітці і по-різному поводяться при обробці магнітним полем. У цьому контексті вперше розглянуто проблему обробки кремнію. Встановлено, що домішки (Al, Mg, Cu, Fe), які зменшують енергію взаємодії атомів у кристалічній ґратці кремнію, призводять до збільшення дефектності структурних одиниць кремнію після 240 годин обробки в магнітному полі, тоді як після 720 годин відбувається зменшення кількості таких дефектів. Для Cz-Si, легованого Zr, Hf (ці домішки збільшують енергію взаємодії кристалічної решітки кремнію), спостерігається зменшення кількості дефектів у структурних одиницях, починаючи з 240 годин витримки в магнітному полі. Методом рентгенівської дифракції виявлено появу нових піків на кутах розсіювання 90-92 градуси, що пов'язано зі спотворенням решітки SiFCC і утворенням поряд з нею орторомбічного Si. Це свідчить про фазові перетворення в зразках напівпровідникового кремнію під час магнітної обробки при кімнатній температурі.uk_UA
dc.identifier.citationKovzel M., Nosko O. Magnetic Treatment of Semiconductor Silicon. Energy Systems and Resources: Optimisation and Rational Use : coll. monograph / edited by T. Baydyk. Kharkiv : TECHNOLOGY CENTER PC, 2024. P. 3–53. DOI: https://doi.org/10.15587/978-617-8360-02-3.ch1.en
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.15587/978-617-8360-02-3.ch1en
dc.identifier.isbn978-617-8360-02-3 (on-line)
dc.identifier.urihttps://monograph.com.ua/catalog/chapter/978-617-8360-02-3/3127en
dc.identifier.urihttps://crust.ust.edu.ua/handle/123456789/22009en
dc.language.isoen
dc.publisherTECHNOLOGY CENTER PC, Kharkiven
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International Licenseen
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/en
dc.subjectsemiconductor siliconen
dc.subjectcomplex dopingen
dc.subjectinteraction energyen
dc.subjectphase transformationsen
dc.subjectdislocation densityen
dc.subjecttwinsen
dc.subjectmagnetic field treatmenten
dc.subjectmicrohardnessen
dc.subjectspecific electrical resistivityen
dc.subjectcharge minority- carrier lifetimeen
dc.subjectнапівпровідниковий кремнійuk_UA
dc.subjectкомплексне легуванняuk_UA
dc.subjectенергія взаємодіїuk_UA
dc.subjectфазові перетворенняuk_UA
dc.subjectгустина дислокаційuk_UA
dc.subjectдвійникиuk_UA
dc.subjectобробка магнітним полемuk_UA
dc.subjectмікротвердістьuk_UA
dc.subjectпитомий електричний опірuk_UA
dc.subjectчас життя неосновних носіїв зарядуuk_UA
dc.subjectКПМ і ЗМuk_UA
dc.subject.classificationTECHNOLOGYen
dc.subject.classificationTECHNOLOGY::Materials scienceen
dc.titleMagnetic Treatment of Semiconductor Siliconen
dc.title.alternativeМагнітна обробка напівпровідникового кремніюuk_UA
dc.typeBook chapteruk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Kovzel_Nosko.pdf
Size:
4.03 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Монографії
Інші праці КПМ і ЗМ (ДМетІ)